Revision [aa3d6d4]
Letzte Änderung am 2018-08-14 11:32:10 durch Andre Bohn
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Revision [d9e02af]
Bearbeitet am 2018-05-08 15:22:33 von Andre Bohn
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Die heutige Bezeichnung MOSFET wurde als Überbegriff, für Transistoren mit isoliertem Gate,
aus dem historischen Kontext übernommen. Dabei wird vernachlässigt das mittlerweile
**<span style="color:#00386a">Aufbau</span>**
Die heutige Bezeichnung MOSFET wurde dabei als Überbegriff, für Transistoren mit isoliertem Gate,
aus dem historischen Kontext übernommen. Hierbei wird vernachlässigt das mittlerweile
Das Gate steuert über die Spannung ob ein leitender Kanal zwischen Source und Drain entsteht oder zerstört wird.
Dabei wird die Halbleitereigenschaft des Siliziums mit einem elektrischen Feld so ausgenutzt das ein leitfähiger Kanal entsteht.
Je größer hierbei die Gate-Spannung, desto leitfähiger ist der dabei entstehende Kanal.
Durch das Oxid findet dabei eine Isolation des Gate statt, somit ist die Steuerung des MOSFETS Leistungslos.
**<span style="color:#00386a">Aufbau</span>**
Der Aufbau eines MOSFET Transistors ist Grundsätzlich immer gleich.
Hierbei Unterscheidet man zwischen Anreicherungs- und Verarmungstyp (oder auch selbstsperrend bzw. selbstleitend).
Die Kanaltypen werden dabei über den Pfeil angezeigt. Selten wird hierbei die Zwischen Gate und Bulk entstehende Diodenwirkung tatsächlich genutzt.
DELETIONS
aus dem historischen Kontext übernommen. Hierbei wird vernachlässigt das mittlerweile
Das Gate steuert über die Spannung ob ein leitender Kanal zwischen Source und Drain entsteht oder zerstört wird.
Dabei wird die Halbleitereigenschaft des Siliziums mit einem elektrischen Feld so ausgenutzt das ein leitfähiger Kanal entsteht.
Je größer hierbei die Gate-Spannung, desto leitfähiger ist der dabei entstehende Kanal.
Durch das Oxid findet dabei eine Isolation des Gate statt, somit ist die Steuerung des MOSFETS Leistungslos.
**<span style="color:#00386a">Aufbau</span>**
Der Aufbau eines MOSFET Transistors ist Grundsätzlich immer gleich.
Hierbei Unterscheidet man zwischen Anreicherungs- und Verarmungstyp (oder auch selbstsperrend bzw. selbstleitend).
Die Kanaltypen werden dabei über den Pfeil angezeigt. Selten wird hierbei die Zwischen Gate und Bulk entstehende Diodenwirkung tatsächlich genutzt.
Revision [df96a12]
Bearbeitet am 2018-04-24 13:07:24 von Andre Bohn
ADDITIONS
wird erstellt
### <span style="color:#00386a">MOSFET</span>
##### <span style="color:#00386a">Metal-Oxid-Semiconductor Field-Effect Transistor</span>
**<span style="color:#00386a">Kurzerklärung</span>**
Der MOSFET ist einer der meist verbauten Feldeffekt Transistoren in internen Schaltungen.
Die heutige Bezeichnung MOSFET wurde als Überbegriff, für Transistoren mit isoliertem Gate,
aus dem historischen Kontext übernommen. Dabei wird vernachlässigt das mittlerweile
moderne Materialien das Metalloxid abgelöst haben.
**<span style="color:#00386a">Aufbau</span>**
**<span style="color:#00386a">Typen</span>**
DELETIONS
##### <span style="color:#00386a">Metal-Oxid-Semiconductor Field-Effect Transistor</span>
**<span style="color:#00386a">Kurzerklärung</span>**
Der MOSFET ist einer der meist verbauten Feldeffekt Transistoren in internen Schaltungen.
Die heutige Bezeichnung MOSFET wurde als Überbegriff, für Transistoren mit isoliertem Gate,
aus dem historischen Kontext übernommen. Dabei wird vernachlässigt das mittlerweile
moderne Materialien das Metalloxid abgelöst haben.
**<span style="color:#00386a">Aufbau</span>**
**<span style="color:#00386a">Typen</span>**
Revision [9e93691]
Die älteste bekannte Version dieser Seite wurde von Andre Bohn am 2018-03-26 13:43:46 erstellt
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wird erstellt